Новости Samsung Electronics запускает производство высокопроизводительных накопителей нового поколения на основе серийных модулей V-NAND Благодаря ‘Toggle DDR 4.0’ интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми 256-гигабитными (Гб) V-NAND модулями флеш-памяти Samsung достигла 1.4 гигабит в секунду (Гбит/сек.), что на 40% выше скорости 64-слойного предшественника. Подробнее... Администратор сайта, 17 июля 2018 г.