Samsung получила сертификат экологической безопасности для микросхемы 512Gb V-NAND

Эмиссия углекислого газа при производстве микросхем 512Gb 3-bit V-NAND в расчете на один гигабайт сократилась почти на 50% по сравнению с аналогичным показателем для производства микросхем 64Gb V-NAND 10-нм класса, сертифицированных в 2017 году. Подробнее...

rss_feedRSS
«Июль 2018»
ПнВтСрЧтПтСбВс
2526272829301
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
303112345